[A+] [공학] 전기전자 기초 실험 - 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
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작성일 24-01-27 00:48
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에미터 플로우(EF) transistor(트랜지스터) 증폭기는 약 1의 전압이득, 높은 입력임피던스, 낮은 출력임피던스를 제공한다.
2. 理論(이론)
○ 공통 베이스(CB) transistor(트랜지스터) 증폭기는 주로 고주파 동작에 사용되며, 입력 임피던스가 낮으며, 출력임피던스는 높으면서 큰 전압이득을 제공한다.교류 전압 이득 :
교류 입력저항 : (베이스 단자 접지)
교류 출력저항 :
1보다 약간 작은 전류 이득을 갖지만, 전압이득은 매우 큰 값을 가질 수 있따 공통베이스 회로에서 출력저항은 수MΩ의 값을 가지고, 와 병렬연결 되므로 무시된다된다. 이 공통 베이스 증폭회로의 교류 전압이득과 입력 및 출력 임피던스는 각각 다음과 같다.
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[공학] 전기전자 기초 실험 - 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
설명
실험과제/기타
공통 베이스 및 에미터 플로워 transistor(트랜지스터) 증폭기
1. 實驗(실험) 목적
○ 공통 베이스와 이미터 플로우(공통콜렉터) transistor(트랜지스터) 증폭기에 있어서 전압증폭(), 입력 임피던스(), 출력 임피던스()를 측정(measurement)한다. 따라서 (출력저항)은 나타내지 않는다.공통 콜렉터(CC), 또는 에미터 플로우(EF) transistor(트랜지스터) 증폭기 구성은 주로 임피던스 정합용으로 사용된다된다. EF의 교류 전압이득과 입력 및 출력 임피던스는 다…(省略)
3. 實驗(실험) 방법 및 결과값
4. 實驗(실험) 순서 및 예상 결과값
1) 공통 베이스 DC 바이어스
〓5.35V
〓 76.14
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[공학] 전기전자 기초 실험 - 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
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