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[update] [공학,기술] 전자공학 test(실험) - MOSFET 증폭회로

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작성일 24-01-16 17:51

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이 왜곡을 줄이기 위하여 신호 크기는 다음과 같은 소신호 조건을 만족하도록 충분히 작아야 한다.

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설명



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[공학,기술] 전자공학 test(실험) - MOSFET 증폭회로

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[공학,기술] 전자공학 test(실험) - MOSFET 증폭회로



실험과제/기타





MOSFET 증폭회로

1. 實驗 목적

- MOS 전계 efficacy transistor의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 特性을 측정(測定) 한다.
`그림 1` 소신호 동작을 설명(說明)하기 위한 회로
- 드레인 순시전류는 직류전류 , 선형 신호 전류 , 그리고 입력 신호의 제곱에 비례하는 이차 신호 전류의 합으로 표현되는 것을 알 숭 lT다. 마지막 항은 출력신호에 비선형 왜곡(nonlinear distortion)을 수반한다.

2. 實驗 해설

A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS transistor는 신호를 증폭할 수 있따 소신호 동작에 집중하기 위해 `그림 1`과 같이 직류전압 를 사용하여 동작점을 원리적으로 간단히 설정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 實驗으로 觀察(관찰) 한다.


- 동작점 Q에서 드레인 신호 전류 와 게이트 신호 전압 의 관계를 나타내는 MOStransistor 트랜스컨덕턴스…(To be continued )

C. 공통 드레인 증폭기




다.
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