[자연과학] 전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 & MEMS
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작성일 23-10-10 13:43
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5단계 MASK(RETICLE)제작
설계된 회로패턴을 E-beam설비로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만듬.
6단계 산화(OXIDATION)공정
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학reaction(반응)시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)를 현상시켜는 공정
7단계 감광액(PR:Photo Resist)도포
빛에 민감한 물질인 PR를 웨이퍼 …(To be continued )
레포트/자연과학
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순서
다. 웨이퍼의 크그는 규소봉의 구경에 따라
3`,4`,6`,8`로 만들어지며 생산성향상을 위해 점점 대구경화 경행을 보이고 있음
3단계 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려넣게 됨
4단계 회로설계
CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
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[자연과학] 전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 & MEMS
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[자연과학] 전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 & MEMS
전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 & MEMS
목 차
#반도체 소자의 제작공정
#MEMS (micro electro mechanical systems)
반도체 소자의 제작공정
1단계 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
2단계 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다.
